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士兰集成的研发团队多年来专注于各类特殊工艺技术的研究开发，形成了多门类，宽领域，有特色的核心技术和产品技术平台。可根据市场需要，快速推出新产品。
•电路技术
| 双极CMOS电路 |
0.8UM/9V BICMOS工艺 |
| 0.8UM/25V BICMOS工艺 |
| 0.8UM/高频 BICMOS工艺 |
| 0.6UM BICMOS工艺 |
| 低压BCD电路 |
0.8UM/25v BCD工艺 |
| 0.8UM/50v BCD工艺 |
| 0.8UM/75v BCD工艺 |
| 0.8UM/100v BCD工艺 |
| 0.6UM BCD工艺 |
| 高压BCD电路 |
600v BCD工艺 |
| 1200v BCD工艺 |
| CMOS电路 |
1.2UM 1P2M CMOS工艺 |
| 双极电路 |
1.5UM高压双极工艺 |
| 0.8UM互补双极工艺 |
•分立器件技术
| 晶体管 |
小信号晶体管工艺 |
| 低频大功率晶体管工艺 |
| 超高频晶体管工艺 |
| 开关管 |
玻封开关二极管工艺 |
| 塑封开关二极管工艺 |
| 平面型双向触发管工艺 |
| 肖特基管 |
30V---200V平面肖特基工艺 |
| 稳压管 |
玻封 2%精度系列工艺 |
| 塑封 2%精度系列工艺 |
| 快恢复管 |
200V---1200V超快恢复平面工艺 |
| 瞬态电压抑制二极管 |
超低电容（0.5p）多通道TVS工艺 |
| MOS 晶体管 |
200V-800V VDMOS平面工艺 |
| 低压VDMOS工艺 |
| 绝缘栅晶体管 |
300V- 600V 穿通型IGBT工艺 |
| 1200V 非穿通型槽栅IGBT工艺 |
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