English
网站首页
公司信息
新闻中心
质量保证
产品技术
人力资源
联系我们
 
技术水平
生产能力
产品应用
测试服务
 
  测试服务

本测试实验室提供专业的半导体特性评估,包括静态特性、动态特性和热特性。除提供建模测试数据和制作分立器件规格书外,我们还能完成一些特殊的测试项目,诸如TVS器件的S21MOSFET器件的dv/dt和三极管的fT。鉴于各家客户的需求难以统一,我们会在充分评估项目的难度和工时后给出正式报价。

本测试实验室可提供的服务项目参见表一、表二和表三。

表一  二极管相关测试项目

测试类别

测试项目

 

参数

符号

电性能参数

静态参数

正向电压

VF

1.        可提供高低温(-40 200)测试结果

2.        可提供测试曲线或波形

3.        DC类:Imax=400AVmax=3000V

4.        AC类:Imax=1000AVmax=1200V

反向漏电

IR

反向击穿电压

VBR

正向平均电流

IFAV

动态参数

结电容

CJ

反向恢复时间相关参数

Trr/Ta/Tb/S

反向恢复峰值电流

Irm

反向恢复电荷

Qrr

电压变化率

dv/dt

热性能参数

耗散功率

PD

 

结到环境热阻

Rthj-a

 

结到壳热阻

Rthj-c

根据封装不同,可能为j-l

其他特殊参数

插入损耗

S21

 

箝位电压

Vc

8/20μs10/1000μs

动态电阻

RDYN

TLP测试

单脉冲雪崩能量

EAS

 

 

表二  三极管相关测试项目

测试类别

测试项目

 

参数

符号

电性能参数

静态参数

各类击穿电压

V(BR)CEO/V(BR)CBO/V(BR)EBO

1.        可提供高低温(-40 200)测试结果

2.        可提供测试曲线或波形

3.        DC类:Imax=400AVmax=3000V

4.        AC类:Imax=1000AVmax=1200V

各类漏电

ICEO/ICBO/IEBO

静态电流增益

hFE

基极-发射极导通电压

VBE(on)

各种饱和压降

VBEsat/VCE(sat)

动态参数

各类电容

Cobo/Cibo/Cre

延迟时间

Td

上升时间

Tr

存储时间

Ts

下降时间

Tf

热性能参数

耗散功率

PD

 

结到环境热阻

Rthj-a

 

结到壳热阻

Rthj-c

 

其他特殊参数

增益带宽积(特征频率)

fT

 

插入功率增益

S21e2

 

噪声系数

NF

高频

 

表三  MOSFET/IGBT相关测试项目

测试类别

测试项目

 

参数

符号

电性能参数

静态参数

各类击穿电压

V(BR)DSS/V(BR)GSS

1.        可提供高低温(-40200℃)测试结果

2.        可提供测试曲线或波形

3.        DC类:Imax=400AVmax=3000V

4.        AC类:Imax=1000AVmax=1200V

5.        符号上IGBTVDMOS之间的替换关系:

C(集电极)=D(漏极);E(发射极)=S(源极)

各类漏电

IDSS/IGSS

栅极阈值电压

VGSth

导通电阻

RDS(on)

饱和压降

VCE(sat)

二极管正向压降

VSD/VF

动态参数

正向跨导

Gfs

栅极电阻

Rg

输入、输出、反向转移电容

Ciss/Coss/Crss

有效输出电容

Coer/Cotr

开关时间

Td(on)/Tr/Td(off)/Tf

导通损耗

Eon/Eoff

反向恢复时间相关参数

Trr/Ta/Tb/S/Irrm/Qrr

栅极电荷

Qg/Qgs/Qgd

短路电流、漏极脉冲电流

Isc/IDM

热性能参数

耗散功率

PD

结到环境热阻

Rthj-a

结到壳热阻

Rthj-c

其他特殊参数

单脉冲雪崩能量

EAS

说明:TOSMD有夹具,其他封装需要制作配套夹具(费用另计)。

 

联系方式:

联系人:周女士

TEL0571-86714088-6192

Emailzhoujun@silanic.com.cn

 

 
测试服务 | 客户服务 | 联系公司 | 客户相关 杭州士兰集成电路有限公司 版权所有
浙ICP备12042697号